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The role of step edge diffusion in epitaxial crystal growth

机译:台阶边缘扩散在外延晶体生长中的作用

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摘要

The role of step edge diffusion (SED) in epitaxial growth is investigated. To this end we revisit and extend a recently introduced simple cubic solid-on-solid model, which exhibits the formation and coarsening of pyramid or mound-like structures. By comparing the limiting cases of absent, very fast (significant), and slow SED we demonstrate how the details of this process control both the shape of the emerging structures and the scaling behavior. We find a sharp transition from significant SED to intermediate values of SED, and a continuous one for vanishing SED. We argue that one should be able to control these features of the surface in experiments by variation of the flux and substrate temperature.
机译:研究了台阶边缘扩散(SED)在外延生长中的作用。为此,我们回顾并扩展了最近引入的简单立方固体对固体模型,该模型显示出金字塔状或丘状结构的形成和粗化。通过比较缺少,非常快(显着)和慢速SED的极限情况,我们证明了此过程的细节如何控制新兴结构的形状和结垢行为。我们发现从显着的SED急剧过渡到SED的中间值,并且出现了一个连续的消失的SED。我们认为,在实验中应该能够通过改变通量和基板温度来控制表面的这些特征。

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